微導(dǎo)納米：獲先進(jìn)半導(dǎo)體芯片制造原子層沉積設(shè)備訂單
據(jù)悉，該產(chǎn)品聚焦全球IC制造市場(chǎng)，為邏輯、存儲(chǔ)等超大集成電路制造提供關(guān)鍵工藝技術(shù)和解決方案。產(chǎn)品技術(shù)可覆蓋45納米到5納米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)所必需的高介電常數(shù)柵氧層ALD工藝需求，填補(bǔ)了該領(lǐng)域無(wú)國(guó)產(chǎn)設(shè)備的空白。
2020年，作為國(guó)內(nèi)尖端微納制造核心裝備企業(yè)，微導(dǎo)迎來(lái)了一個(gè)新的重要里程碑：自主研發(fā)的鳳凰系列ALD薄膜沉積系統(tǒng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。此外，微導(dǎo)通過(guò)自主創(chuàng)新，使該產(chǎn)品具有較強(qiáng)的材料選擇功能，可提供包括HfO2, ZrO2，Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, La2O3, ZnO, TiN, 以及AlN等多種工藝功能。其中可用于FINFET結(jié)構(gòu)柵氧層的高介電常數(shù)材料（HfO2）的12寸晶圓工藝已達(dá)到片內(nèi)及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內(nèi)，無(wú)可探測(cè)的氯、碳雜質(zhì)含量，工藝性能不僅可滿足當(dāng)前45-14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)需求，更重要的是該產(chǎn)品可進(jìn)行10nm乃至5nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝材料升級(jí)，為客戶提供在尖端芯片設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中更多的核心工藝選擇性，從而為更好的提升關(guān)鍵制造技術(shù)開(kāi)發(fā)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)提供重要保障。
ALD技術(shù)的誕生最早可以追溯到20世紀(jì)六、七十年代。2007年底，美國(guó)Intel公司推出了基于45納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)的酷睿處理器，首次將ALD技術(shù)沉積的高介電常數(shù)材料（high-?）和金屬柵組合引入到集成電路芯片制造中，順利將摩爾定律延續(xù)至當(dāng)下最先進(jìn)的5納米鰭式晶體管（FinFET）工藝制程，并將繼續(xù)支撐集成電路制造技術(shù)延續(xù)到3納米和2納米的全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around GAAFET）技術(shù)。
然而，由于柵氧層對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）性能的直接影響，這道工藝制程對(duì)ALD設(shè)備的要求極高，全球范圍內(nèi)也只有極少數(shù)國(guó)外的知名半導(dǎo)體設(shè)備公司能夠提供滿足此工藝要求的ALD設(shè)備。ALD設(shè)備成為阻礙中國(guó)芯片技術(shù)進(jìn)步的“真空鍍膜技術(shù)三座大山”之一。微導(dǎo)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)突破了限制該工藝制程的多個(gè)技術(shù)瓶頸，成功開(kāi)發(fā)出了可用于沉積high-?柵氧層薄膜的新一代ALD量產(chǎn)設(shè)備。
黎微明表示，期待首臺(tái)ALD設(shè)備在客戶產(chǎn)線能夠以最快速度順利導(dǎo)入量產(chǎn)。微導(dǎo)還將推出一系列半導(dǎo)體領(lǐng)域ALD技術(shù)和裝備，用于邏輯、存儲(chǔ)、特色工藝、化合物半導(dǎo)體等芯片制造，力爭(zhēng)成為ALD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的先行者與領(lǐng)導(dǎo)者。
