微導納米：獲先進半導體芯片制造原子層沉積設(shè)備訂單
據(jù)悉，該產(chǎn)品聚焦全球IC制造市場，為邏輯、存儲等超大集成電路制造提供關(guān)鍵工藝技術(shù)和解決方案。產(chǎn)品技術(shù)可覆蓋45納米到5納米以下技術(shù)節(jié)點所必需的高介電常數(shù)柵氧層ALD工藝需求，填補了該領(lǐng)域無國產(chǎn)設(shè)備的空白。
2020年，作為國內(nèi)尖端微納制造核心裝備企業(yè)，微導迎來了一個新的重要里程碑：自主研發(fā)的鳳凰系列ALD薄膜沉積系統(tǒng)成功實現(xiàn)量產(chǎn)化。此外，微導通過自主創(chuàng)新，使該產(chǎn)品具有較強的材料選擇功能，可提供包括HfO2, ZrO2，Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2, La2O3, ZnO, TiN, 以及AlN等多種工藝功能。其中可用于FINFET結(jié)構(gòu)柵氧層的高介電常數(shù)材料（HfO2）的12寸晶圓工藝已達到片內(nèi)及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內(nèi)，無可探測的氯、碳雜質(zhì)含量，工藝性能不僅可滿足當前45-14nm技術(shù)節(jié)點需求，更重要的是該產(chǎn)品可進行10nm乃至5nm以下技術(shù)節(jié)點的工藝材料升級，為客戶提供在尖端芯片設(shè)計和制造過程中更多的核心工藝選擇性，從而為更好的提升關(guān)鍵制造技術(shù)開發(fā)和知識產(chǎn)權(quán)保護提供重要保障。
ALD技術(shù)的誕生最早可以追溯到20世紀六、七十年代。2007年底，美國Intel公司推出了基于45納米節(jié)點技術(shù)的酷睿處理器，首次將ALD技術(shù)沉積的高介電常數(shù)材料（high-?）和金屬柵組合引入到集成電路芯片制造中，順利將摩爾定律延續(xù)至當下最先進的5納米鰭式晶體管（FinFET）工藝制程，并將繼續(xù)支撐集成電路制造技術(shù)延續(xù)到3納米和2納米的全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around GAAFET）技術(shù)。
然而，由于柵氧層對場效應(yīng)晶體管（MOSFET）性能的直接影響，這道工藝制程對ALD設(shè)備的要求極高，全球范圍內(nèi)也只有極少數(shù)國外的知名半導體設(shè)備公司能夠提供滿足此工藝要求的ALD設(shè)備。ALD設(shè)備成為阻礙中國芯片技術(shù)進步的“真空鍍膜技術(shù)三座大山”之一。微導的技術(shù)團隊突破了限制該工藝制程的多個技術(shù)瓶頸，成功開發(fā)出了可用于沉積high-?柵氧層薄膜的新一代ALD量產(chǎn)設(shè)備。
黎微明表示，期待首臺ALD設(shè)備在客戶產(chǎn)線能夠以最快速度順利導入量產(chǎn)。微導還將推出一系列半導體領(lǐng)域ALD技術(shù)和裝備，用于邏輯、存儲、特色工藝、化合物半導體等芯片制造，力爭成為ALD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的先行者與領(lǐng)導者。
