上交所：受理拓荊科技科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)

　　中證網(wǎng)訊（記者 黃一靈）7月12日，上交所受理拓荊科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“ 拓荊科技”）的科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)。

　　招股書顯示，拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大核心設(shè)備。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。

　　公司擬募集資金金額為10億元，將投資高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。