第三代半導(dǎo)體投資熱，三安光電湖南半導(dǎo)體基地投產(chǎn)

　　電動車市場將是碳化硅器件成長的主要驅(qū)動力。三安欲復(fù)制LED芯片崛起的模式。

　　6月23日，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項目投產(chǎn)，將打造國內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，可月產(chǎn)30000片6英寸碳化硅晶圓。這是國內(nèi)LED芯片龍頭三安光電（600703.SH）向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擴張的重要一步。6月23日上午，三安光電股價上漲4.65%至32.87元/股。

　　湖南項目主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)，以碳化硅、氮化鎵等為主的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地，位于長沙高新產(chǎn)業(yè)園區(qū)，規(guī)劃用地面積約1000畝，2020年7月動工。在23日上午的點亮儀式上，三安光電股份有限公司副董事長、總經(jīng)理林科闖表示，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。

　　建成達產(chǎn)后，湖南三安半導(dǎo)體基地預(yù)計將實現(xiàn)年銷售額120億元。三安光電相關(guān)人士向第一財經(jīng)記者透露，湖南三安半導(dǎo)體基地設(shè)備已點亮，下一步進行工藝調(diào)試和流片。

　　第三代半導(dǎo)體可以滿足電力電子對高溫、高功率、高壓、高頻的要求。湖南三安半導(dǎo)體基地通過大規(guī)模生產(chǎn)，以及自有碳化硅材料制備專利，產(chǎn)品將可廣泛應(yīng)用于通信、服務(wù)器電源、光伏、新能源汽車主驅(qū)逆變器、車載充電機和充電樁、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域。

　　目前碳化硅半導(dǎo)體仍處于發(fā)展初期，滲透率不高，會率先用在充電樁、服務(wù)器電源等領(lǐng)域。隨著技術(shù)突破和成本下降，未來十年有望大范圍用于工業(yè)及電動汽車領(lǐng)域。電動車市場將是碳化硅器件成長的主要驅(qū)動力，碳化硅功率器件市場預(yù)計以每年31%的復(fù)合增長率增長。 Cree 公司預(yù)計，碳化硅襯底及功率器件2024 年市場規(guī)模將分別達11億美元、50 億美元。

　　近年國內(nèi)掀起第三代半導(dǎo)體的投資熱潮，臺積電最近也在擴大氮化鎵等第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。上述三安光電相關(guān)人士認為，雖然氮化鎵、碳化硅都屬于第三代半導(dǎo)體的范疇，但是氮化鎵功率器件用于手機快充、數(shù)據(jù)中心電源等領(lǐng)域較多；碳化硅功率器件則更多用在新能源汽車與充電、5G通信基站、特高壓電網(wǎng)、高鐵與軌道交通、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心，這些都是國家新基建重點發(fā)展的領(lǐng)域。

　　集邦咨詢研究副總經(jīng)理王飛向第一財經(jīng)記者分析認為，湖南三安半導(dǎo)體主要側(cè)重點是碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，中國市場相關(guān)需求成長非常迅速，三安在相關(guān)領(lǐng)域有一定技術(shù)積累，與國際一線廠商的差距不像傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體那么大，因此如果項目能夠及時達產(chǎn)的話，可能有機會復(fù)制三安在LED芯片領(lǐng)域的模式。